Результат по запросу: Чей номер 380685077251

Области применения IGBT транзисторов:• АС/DC, DC/AC-преобразователи;• инверторы солнечных батарей;• плиты индукционного нагрева от 1500 до 4000 Вт• преобразователи напряжений в гибридныхавтомобилях;• электропривод в стиральных машинах;Стоимость- транзистора 50 грн- диодного моста - 45 грнХарактеристики IGBT транзистора H20R1203:Напряжение коллектор эмиттер - до 1200ВПостоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град), до 20А (при 100 град),Импульсный ток коллектора - до 60АТемпература пайки выводов - до 260 град.Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-EХарактеристики диодного моста GBJ3510:Максимальное пиковое обратное напряжение 1000ВМаксимальный ток с радиатором 35А, без радиатора 4.2АДиапазон рабочих температур -55 до + 150

Области применения IGBT транзисторов: • АС/DC, DC/AC-преобразователи; • инверторы солнечных батарей; • плиты индукционного нагрева от 1500 до 4000 Вт • преобразователи напряжений в гибридных автомобилях; • электропривод в стиральных машинах; Стоимость - транзистора 50 грн - диодного моста - 45 грн Характеристики IGBT транзистора H20R1203: Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град), до 20А (при 100 град), Импульсный ток коллектора - до 60А Температура пайки выводов - до 260 град. Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E Характеристики диодного моста GBJ3510: Максимальное пиковое обратное напряжение 1000В Максимальный ток с радиатором 35А, без радиатора 4.2А Диапазон рабочих температур -55 до + 150